过MEMS,LED,以及LCD的不断洗礼,两个人对晶圆工艺已经不陌生了。
在后世,人们一提起半导体设备,被津津乐道的,就是光刻机。大家普遍认为,光刻机是中国在半导体工艺上落后的唯一瓶颈。
这句话对,也不对。
对,是因为,中国在半导体工艺领域,被甩得最远的代表设备就是光刻机。
其他设备,例如蚀刻设备等,它们与国际先进水平,即使有些差距,差距也没有这么大,甚至某些设备,国产设备已经开始反攻国际市场。
光刻机决定半导体制程的情况,仅仅是出现在2005年之后。这就是地球人都知道的,ASML的天王山之战。
ASML在浸入式光刻机上,打了场翻身仗,一举把日本的几家竞争对手掀翻在地,从而奠定了在光刻机市场的垄断地位。
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但实际上,在2005年的前后,决定半导体芯片制程的几个核心技术,都不是光刻机。因为此时,光波的波长,还没有撞到极限(193nm).
中国已经有了微米的光刻机,但是其他辅助工艺,达不到这么高的精度。
几十年来,对光刻设备的要求主要基于摩尔定律,通过减小波长和增大数值孔径(NA)来获得更高分辨率。
但是激光的可用波长就那么几个,激光波长减少几次,就无以为继了。
2004年开始,光刻机就开始使用193nm波长的DUV激光,谁也没想到,光刻光源被卡在193nm无法进步长达十几年。
哪怕采用了沉浸式光刻机,也仅仅是使晶圆工艺成功突破了几个节点。
过了一段时间,半导体工艺的工艺演进路线,再次遇到了类似的问题。后世的14nm,10nm,7nm的技术突破。都不是通过升级光刻机来实现的。
在光刻机无法升级的情况下,为了突破这个障碍,人们开始寻找别的突围方向。
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随着科学家们的脑洞大开,一个行之有效的方法,真的被找到了!
更为可喜的是,这个方法思路非常简单,而且特别适合这个时代。
在完全在不改变设备技术水平的情况下,可以提高晶圆的制程!
之所以这个方法没有被广泛宣传,是因为所有的晶圆厂都在使用。大家都在用的技术,自然就失去了神秘性和趣味性。
灯下黑,指的就是这种情况。
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